[kjtimes=キム・ボムネ記者]　サムスン電子が上半期に研究開発（R＆D）費で5兆8000億ウォンを支出し、史上最大を記録した。

サムスン電子は、施設にも過去最大の13兆9000億ウォンを投資するなど、上半期に投資額のみ計19兆7000億ウォンを支出した。

21日、サムスン電子の半期報告書によると、サムスン電子は未来をリードする技術を開発して革新的な製品で市場をリードするために1-6月に計5兆7797億ウォンを研究開発費として支出した。

これは、昨年上半期に支出した4兆9876億ウォンより7921億ウォン、15.8％増となった。

研究開発費の支出の結果として、サムスン電子は、コンピュータ用の30ナノ級4GB（ギガバイト）DDR4 Dラム、モバイル用20ナノ級4Gb（ギガビット）LP DDR2モバイルDラムなどを開発した。

サムスン電子は、新たに開発した製品を前面に出して、市場で競合他社を抑えて競争力の優位性を持続的に継続するものと見込まれている。

サムスン電子は1-2年以内に発売の商品を開発する各部門の傘下事業部開発チーム、3〜5年の中長期の技術を開発する各部門の研究所、未来成長エンジンのコア技術を開発する総合技術院など3段階の研究開発組織を構築している。

昨年にサムスン電子は国内特許5664件、海外特許1万234件を出願した。昨年末現在、米国特許取得件数は4894件で、2006年以来、6年連続でIBMに次いで2位に上がった。

サムスン電子は今年上半期に設備投資も13兆9480億ウォンを執行して、前年同期（11兆1740億ウォン）より2兆7740億ウォン、24.8％増加した。

上半期の設備投資の内訳を部門別にみると、半導体9兆6941億ウォン、LCDの2兆6026億ウォン、その他1兆6513億ウォンで、半導体に投資する金額が圧倒的に多い。

サムスン電子は今年の年間25兆ウォン水準の設備投資を計画しており、下半期にも、半導体、LCD事業ラインの性能改善に多くの金額が投資される見通しだ。状況によっては、25兆ウォンを大きく上回る可能性もある。