[kjtimes=김한규 기자] 삼성전자(005930)는 반도체 후공정라인에 대해 신규 투자를 하기로 했다.
삼성전자에 따르면 반도체 공장을 건설 중인 중국 산시(陝西)성 시안(西安)에 낸드플래시 메모리반도체 후공정라인을 추가하기 위해 5억달러를 추가 투자한다. 또 연구·개발(R&D) 센터를 설립해 우수 인력 및 제품경쟁력 확보에 주력할 계획이다.
후공정라인은 내년 말 완공을 목표로 내년 1월 착공에 들어가며 현재 건설 중인 반도체 공장 인근에 위치하게 된다고 설명했다. 이번 투자로 삼성전자의 시안 반도체 설비 관련 투자액은 총 75억달러 규모로 늘어나게 됐다.
삼성전자는 시안 고신구에 4227㎡(1천281평) 규모의 R&D 센터도 설립했다. 이는 중국 현지의 우수한 인재 발굴과 연구개발(R&D) 거점을 구축하기 위해서다. 이와 함께 현지 우수인력 채용을 통해 소프트웨어 개발 역량을 강화하고 대학과의 공동 연구 등을 통해 사업 협력도 강화한다.
이에 따라 삼성전자가 중국에서 운영 중인 R&D센터는 모두 8곳으로 늘어났다.
한편 중국 현지 삼성그룹은 서안 반도체 공장 기공식 1주년을 기념해 산시성과 사회공헌활동(CSR)을 공동 추진하고 '사회공헌활동 시범구' 추진 협약을 맺었다.
