サムスン電子は１9日、米カリフォルニア州で開かれた世界各国ＩＴ企業の最高情報責任者（ＣＩＯ）を対象にしたフォーラムで、グリーンメモリー市場の拡大を積極的に推進すると明らかにした。

今年は１．２ボルトＤＤＲ３　ＤＲＡＭと２０ナノ（ナノは１０億分の１）クラスの４ＧＢ（ギガバイト）ＤＤＲ３　ＤＲＡＭ、２０ナノクラス高性能ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを搭載したエンタープライズＳＳＤ製品を発売するなど、微細工程化を通じ、消費電力を最小化したグリーンメモリーラインアップを大幅に拡大する予定だと紹介した。

また、来年以降は次世代ＤＤＲ４　ＤＲＡＭと「３Ｄ（立体）－シリコン貫通電極（ＴＳＶ）」ＤＲＡＭ、４００ＧＢ以上の大容量エンタープライズＳＳＤソリューションを通じ、プレミアムメモリー市場を成長させていく計画だと明らかにした。

サムスンは特に、グリーンメモリーを導入すれば、費用削減に伴う効率の最大化はもちろん、環境問題解決にも貢献できることを強調した。

삼성전자는 19일 "올해 20나노급 메모리 양산에 이어 내년 이후 DDR4 D램 등 차세대 메모리를 양산하는 등 그린 메모리 시장 확대를 지속적으로 추진하겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 18일(현지시각) 미국 캘리포니아 하프문베이에서 세계 각국의 IT기업 최고정보관리책임자(CIO)를 대상으로 '삼성 반도체 CIO 포럼'을 열고 이 같은 계획을 발표했다.

이 자리에서 삼성 전자는 올해 1.2V DDR3 D램과 20나노급 4GB DDR3 D램, 20나노급 고성능 낸드를 탑재한 엔터프라이즈 SSD 제품을 출시하는 등 미세 공정화를 통해 소비전력을 최소화한 그린 메모리 라인업을 대폭 확대할 예정이라고 소개했다.

또 내년 이후에는 2012년 이후에는 차세대 DDR4 D램과 3D-TSV D램, 400GB 이상대용량 초고속 엔터프라이즈 SSD 솔루션을 통해 프리미엄 메모리 시장을 성장시켜 나갈 계획이라고 밝혔다.

특히 삼성전자는 그린 메모리를 도입하면 비용 절감에 따른 효율 극대화는 물론, 환경 문제 해결에도 이바지할 수 있다는 점을 강조했다.

삼성전자는 "서버 시스템의 D램·스토리지를 그린 DDR3·그린 SSD로 대체하면 서버 시스템 성능은 약 2배 올라가고 전력 소비는 89%가량 줄일 수 있다"고 설명했다.